Меню

7mbr25sa120 50 частотник своими руками

7MBR25SA-120-50,7, IGBT модуль 1200В 25A

Информация для заказа
Номенклатурный номер 661499003

Производитель Fujitsu
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 25
Наименование Цены, руб. с НДС Условие
поставки
Наличие Купить
7MBR25SA-120-50,7, IGBT модуль 1200В 25A
Fujitsu
661499003
от 20 — 10347.93
от 14 — 10698.62
от 8 — 11049.31
от 2 — 11400.00
от 1 — 12800.00
под заказ
цена ориентировочная
нет

Цены указаны с учетом НДС со склада в Москве

Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации. Для получения актуализированной информации отправьте запрос на адрес techno.ru

Посмотреть еще

  • Другие товары этого производителя: IGBT модули Fujitsu
  • Вся продукция производителя Fujitsu
  • Посмотреть все Полупроводниковые модули
  • Справочник корпусов компонентов
  • Посмотреть и скачать электронный каталог
  • Посмотреть новинки продукции

Нужна помощь в выборе продукции или подборе аналога?
Обратитесь к нашему консультанту webmaster@platan.ru

Указано наличие на складе. Цены даны с учетом НДС. Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. При заказе товара через сайт Вам будет выставлен счет на оплату в режиме онлайн, товар по фиксированной цене забронирован на 3 рабочих дня.

Оплатить товар можно:

  • Банковским переводом
  • Электронными деньгами Яндекс.Деньги
  • Наличными при получении товара (для клиентов из Москвы и Санкт-Петербурга)
  • Наличными через офисы Евросеть, Связной или через любой платежный терминал, принимающий Яндекс.Деньги
  • Пластиковой картой Visa/MasterCard (кроме клиентов из Санкт-Петербурга)

Мы работаем с разными грузовыми компаниями:

  • экспресс-доставка Major Express
  • Деловые линии
  • ТК Энергия
  • почта России
  • терминалы доставки InPost

Забрать заказ можно в наших офисах:

  • Москва, м.Молодежная, ул.Ивана Франко, д.40, стр.2 (через 2 раб.дня)
  • Москва, м.Электрозаводская, Семеновская наб., д.3/1, к.5 (через 2 раб.дня)
  • С.-Петербург, ул.Зверинская, д.44 (через 5 раб.дней)

Платан проводит строгую политику в области качества поставляемой продукции:

  • мы являемся официальным дистрибьютором более 20 мировых производителей комплектующих
  • на товар, подлежащий гарантийному обслуживанию, срок гарантии составляет 6 месяцев
  • мы предоставляем все необходимые сертификаты
  • мы поддерживаем собственный сервисный центр

Источник

7mbr25sa120 50 частотник своими руками

NPT-Technology Solderable Package Square SC SOA 10 x IC High Short Circuit Withstand-Capability Small Temperature Dependence of the Turn-Off Switching Loss Low Losses And Soft Switching

Collector-Emitter Voltage Gate -Emitter Voltage Collector Current Collector Power Dissipation Repetitive Peak Reverse Voltage Average Output Current Surge Current (Non Repetitive) 2 It (Non Repetitive) Collector-Emitter Voltage Gate ­Emitter Voltage Collector Current Collector Power Dissipation Repetitive Peak Reverse Voltage Operating Junction Temperature Storage Temperature Isolation Voltage Mounting Screw Torque*

VCES VGES IC PULSE -IC PULSE PC VRRM IO IFSM VCES VGES IC PULSE PC VRRM Tj TStg VISO
Continuous 1ms 1 device 50Hz/60Hz sinus wave Tj=150°C, 10 ms, sinus wave / 80°C

Zero Gate Voltage Collector Current Gate-Emitter Leackage Current Gate-Emitter Threshold Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage

Читайте также:  Как сделать коробку с орехами своими руками

ICES IGES VGE(th) VCE(sat) Cies ton tr,x tr,i toff tf VF trr VFM IRRM ICES IGES VCE(sat) ton tr,x toff tf IRRM R B

VCE=1200V VCE=0V VGE=± IC=25mA VGE=15V Chip = 25A Terminal VGE=0V, VCE=10V VCC = 25A VGE = 51 Inductive Load IF=25A Chip Terminal Chip Terminal

Diode Forward On-Voltage Reverse Recovery Time Forward Voltage Reverse Current Zero Gate Voltage Collector Current Gate-Emitter Leackage Current Collector-Emitter Saturation Voltage Turn-on Time Turn-off Time Reverse Current

Inverter IGBT Inverter FRD Brake IGBT Rectifier Diode With Thermal Compound

FAR-F6CE-1G8425-L2YE-W : Piezoelectric Saw BPF ( 1000 to 2500 MHZ )

FAR-F1DA-8M1920-G202 : Timing Extraction Bandpass Filter (1.5 to 100mhz)

N010-0510-T302 : Standard Resistive Touch Panel Specification 7-wire Series

MB90341E : 16-bit Proprietary Microcontroller CMOS

VE-48H5-K-HV-VD : Power Relay 1 Pole-5 A (medium LOAD Control)

MB91F191A : 32-bit Proprietary Microcontroller

MB87P2020-A : Colour Lcd/crt/tv Controller

MB90F362PMT : 16-bit Proprietary Microcontroller

FAR-F5CH-935M50-L2MA-R : SAW FILTER Specifications: Filter Design: Saw Filter

FLX107MH-12 : KU BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET Specifications: Polarity: N-Channel ; V(BR)DSS: 15 volts ; Package Type: HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-2 ; Number of units in IC: 1

MB90428GBPF : 16-BIT, MROM, 16 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP100 Specifications: Life Cycle Stage: ACTIVE ; Clock Speed: 16 MHz ; ROM Type: MROM ; Supply Voltage: 4.5 to 5.5 volts ; I/O Ports: 58 ; Package Type: LFQP, Other, 14 X 14 MM, 1.70 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, LQFP-100 ; Operating Range: Industrial ; Pin Count: 100 ; Operating Temperature: -40 to

1N1204B : STANDARD DIODE, 12A, 400V, DO-4. s: Diode Type: Standard Recovery ; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 400V ; Forward Current If(AV): 12A ; Forward Voltage VF Max: 1.2V ; Reverse Recovery Time trr Max: — ; Forward Surge Current Ifsm Max: 250A ; Operating Temperature Range: -65°C to +200°C ; Diode Case Style: DO-4 ; No. of Pins: 2 ; MSL: -.

BYW29E-200,127 : Diode. s: Diode Type: Soft Recovery ; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 200V ; Forward Current If(AV): 8A ; Forward Voltage VF Max: 1.3V ; Reverse Recovery Time trr Max: 25ns ; Forward Surge Current Ifsm Max: 88A ; Operating Temperature Range: — ; Diode Case Style: SOD-59 ; No. of Pins: 2 ; MSL: -.

CM400HX-24A : SINGLE IGBT, 2.6V, 400A. s: Module Configuration: Single ; Transistor Polarity: N Channel ; DC Collector Current: 400A ; Collector Emitter Voltage Vces: 1.2kV ; Power Dissipation Pd: 2.45kW ; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 2.6V ; Operating Temperature Range: -40°C to +150°C ; Transistor Case Style: Module ; No. of Pins: 11.

IGW25N120H3 : IGBT,1200V,25A,TO247. s: Transistor Type: IGBT ; DC Collector Current: 25A ; Collector Emitter Voltage Vces: 2.4V ; Power Dissipation Pd: 326W ; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV ; Operating Temperature Range: -40°C to +175°C ; Transistor Case Style: TO-247 ; No. of Pins: 3 ; MSL: -.

NTHD3102CT1G : DUAL N/P CHANNEL MOSFET, 20V, 1206A. s: Transistor Polarity: N and P Channel ; Continuous Drain Current Id, N Channel: 4A ; Continuous Drain Current Id, P Channel: -3.1A ; Drain Source Voltage Vds, N Channel: 20V ; Drain Source Voltage Vds, P Channel: -20V ; On Resistance Rds(on), N Channel: 0.029ohm ; On Resistance Rds(on), P Channel: 0.064ohm ; Rds(on).

BSS138PS : MOSFET, NN CH, 60V, 0.32A, SOT363. s: Transistor Polarity: N Channel ; Continuous Drain Current Id, N Channel: — ; Continuous Drain Current Id, P Channel: — ; Drain Source Voltage Vds, N Channel: — ; Drain Source Voltage Vds, P Channel: — ; On Resistance Rds(on), N Channel: — ; On Resistance Rds(on), P Channel: — ; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V ; Threshold.

BSH111,215 : MOSFET, N CH, 55V, 335MA, 3-SOT-23. s: Transistor Polarity: N Channel ; Continuous Drain Current Id: 335mA ; Drain Source Voltage Vds: 55V ; On Resistance Rds(on): 2.3ohm ; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V ; Threshold Voltage Vgs Typ: 1V ; Power Dissipation Pd: 830mW ; Operating Temperature Range: -65°C to +150°C ; Transistor Case Style: SOT-23 ; No. of Pins:.

S6008DS2RP : SCR THYRISTOR, 5.1A, 600V, TO-252AA. s: Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm: 600V ; Gate Trigger Current Max, Igt: 200µA ; Current It av: 5.1A ; On State RMS Current IT(rms): 8A ; Peak Non Rep Surge Current Itsm 50Hz: 83A ; Holding Current Max Ih: 6mA ; Gate Trigger Voltage Max Vgt: 800mV ; Operating Temperature Range: -40°C to +125°C ; Thyristor.

MUN5311DW1T1G : BRT TRANSISTOR, 50V, 10K/10KOHM, SC88. s: Module Configuration: Dual ; Transistor Polarity: NPN & PNP ; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V ; Transition Frequency Typ ft: — ; Power Dissipation Pd: 256mW ; DC Collector Current: 100mA ; DC Current Gain hFE: 60 ; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C ; Transistor Case Style: SOT-363 ; No. of Pins:.

PBSS4032SN,115 : BISS TRANSISTOR, DUAL NPN, 30V, 5.7A, 8-SOIC. s: Module Configuration: Dual ; Transistor Polarity: NPN ; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V ; Transition Frequency Typ ft: 140MHz ; Power Dissipation Pd: 2.3W ; DC Collector Current: 5.7A ; DC Current Gain hFE: 500 ; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C ; Transistor Case Style: SOIC ; No. of Pins:.

2N2222 : BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 30V, TO-18. s: Transistor Polarity: NPN ; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V ; Transition Frequency Typ ft: — ; DC Collector Current: 800mA ; Power Dissipation Pd: 500mW ; DC Current Gain hFE: 100 ; Operating Temperature Range: — ; Transistor Case Style: TO-18 ; No. of Pins: 3 ; MSL: -.

2SA1386 : TRANSISTOR, BJT, PNP, -160V, -15A,TO-3P. s: Transistor Polarity: PNP ; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -160V ; Transition Frequency Typ ft: 40MHz ; DC Collector Current: -15A ; Power Dissipation Pd: 130W ; DC Current Gain hFE: 50 ; Operating Temperature Range: — ; Transistor Case Style: TO-3P ; No. of Pins: 3 ; MSL: -.

PBLS6021D,115 : BISS LOADSWITCH, PNP BISS & NPN RET, -60V, -1.5A, 2.2KOHM, SOT-457. s: Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -60V ; Continuous Collector Current Ic: -1.5A ; Base Input Resistor R1: 2.2kohm ; Base-Emitter Resistor R2: 2.2kohm ; Resistor Ratio, R1 / R2: 1 ; RF Transistor Case: SOT-457 ; No. of Pins: 6.

PUMB2,115 : BRT TRANSISTOR, PNP, -50V, -100MA, 47KOHM / 47KOHM, 6-SOT-363. s: Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -50V ; Continuous Collector Current Ic: -100mA ; Base Input Resistor R1: 47kohm ; Base-Emitter Resistor R2: 47kohm ; Resistor Ratio, R1 / R2: 1 ; RF Transistor Case: SOT-363 ; No. of Pins: 6.

Источник

7MBR25SA-120-50, 7 IGBT 1200V 25A

Техническая спецификация

Some Part number from the same manufacture Fuji Electric Corp.
7MBR25SA-140-50 Specifications: Module Configuration: Seven ; Transistor Polarity: N Channel ; DC Collector Current: 25A ; Collector Emitter Voltage Vces: 2.2V ; Power Dissipation Pd: — ; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
7MBR25UA-120-50
7MBR25VM-120-50 Specifications: Module Configuration: — ; Transistor Polarity: — ; DC Collector Current: 25A ; Collector Emitter Voltage Vces: 2.1V ; Power Dissipation Pd: — ; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
7MBR25VP-120-50
7MBR30SA-060-50 Specifications: Module Configuration: Seven ; Transistor Polarity: N Channel ; DC Collector Current: 30A ; Collector Emitter Voltage Vces: 1.8V ; Power Dissipation Pd: — ; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
7MBR30U2A-060-50
7MBR35SB-120-50
7MBR35SB-140-50
7MBR35UA-120-50
7MBR50SB-120-50
7MBR50UA-120-50
7MBR50VM-120-50 Specifications: Module Configuration: — ; Transistor Polarity: — ; DC Collector Current: 50A ; Collector Emitter Voltage Vces: 2.2V ; Power Dissipation Pd: — ; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
7MBR50VP-060-50
7MBR50VP-120-50
7MBR75SB-060-50 Specifications: Module Configuration: Seven ; Transistor Polarity: N Channel ; DC Collector Current: 75A ; Collector Emitter Voltage Vces: 1.8V ; Power Dissipation Pd: — ; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
7MBR75U2B-060-50
7MBR75U4B-120-50
7MBR75VN-120-50 Specifications: Module Configuration: — ; Transistor Polarity: — ; DC Collector Current: 75A ; Collector Emitter Voltage Vces: 2.25V ; Power Dissipation Pd: — ; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV
7MBR75VR-120-50
VLA517-01R Specifications: Module Configuration: Single ; Transistor Polarity: N Channel ; DC Collector Current: 4A ; Collector Emitter Voltage Vces: — ; Power Dissipation Pd: — ; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
AC09-CW0/12L1 Specifications: Circuit Code: BCD Complement ; Max Current Rating: 0.5000 amps ; Max AC Voltage Rating: 5 volts ; Max DC Voltage Rating: 5 volts ; Max. Mechanical Life: 50000 (nb) ; Operating Temp: -4 to 158 F (253
Макс.напр.к-э,В 1200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 25
Структура модуля
Тип силового модуля
Максимальная частота модуляции,кГц
Входная емкость затвора,нФ
Мощность привода, кВт
Драйвер управления
Защита по току
Защита от короткого замыкания
Защита от перегрева
Защита от пониженного напряжения питания
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
Максимальный ток эмиттера, А
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
Напряжение эмиттер-коллектор,В
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс
Напряжение изоляции, В
Температурный диапазон,С

Описание

7MBR25SA-120-50, 7 IGBT 1200V 25A — IGBT модули

IGBT модули 7MBR25SA-120-50, 7 IGBT 1200V 25A

Мин. кол-во Цена
1 26 998.40 р.
3 26 620.80 р.
30 26 487.70 р.

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. Общую стоимость с учётом доставки Вам сообщит менеджер.

Источник

Adblock
detector